专注功率半导体分销与呆滞库存回收
服务热线：13713601981
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T3封装单管IGBT模块，Trench‑FS沟槽场终止芯片，VCES=1700V，覆盖600A、900A、1200A大电流规格，用于高压大功率工业变换设备。
GT600DSD170T3H 600A｜1700V，T3封装
GT900DSD170T3H 900A｜1700V，T3封装
GT1200DSD170T3H 1200A｜1700V，T3封装
| 集射极阻断电压 VCES | 1700V |
| 栅极‑发射极电压 VGES | ±20V |
| 芯片工艺 | Trench‑FS沟槽场终止IGBT |
| 最大结温 Tj Max | 175℃ |
| 工作结温范围 | -40℃ ~ +150℃ |
| 封装 | T3单管模块封装 |
T3为单管IGBT，1700V高压版本，无内置NTC测温；选型务必确认耐压、电流规格，核对引脚定义。
高压大功率变流器
储能大功率逆变器
轨道交通功率单元
工业高压电源装置
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