专注功率半导体分销与呆滞库存回收
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T4封装三相集成IGBT模块,采用Trench‑FS沟槽场终止芯片,VCES=1700V,提供2400A与3600A大电流规格,面向高压重型工业功率变换场景。
GT2400SD170T4H 2400A|1700V,T4封装
GT3600SD170T4H 3600A|1700V,T4封装
| 集射极阻断电压 VCES | 1700V |
| 栅极‑发射极电压 VGES | ±20V |
| 芯片工艺 | Trench‑FS沟槽场终止IGBT |
| 最大结温 Tj Max | 175℃ |
| 工作结温范围 | -40℃ ~ +150℃ |
| 封装 | T4三相模块封装 |
T4‑1700V三相大功率模块,模块内部不带NTC测温电阻;采购前确认耐压、电流参数与PCB引脚定义,不能直接和T4‑1200V版本互相替换上机。
高压大功率工业变流器
大型储能逆变系统
轨道交通功率单元
风电大功率功率变换设备
全新现货库存,支持样品打样以及大批量订货,可以提供原厂Datasheet规格书文档。
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