专注功率半导体分销与呆滞库存回收
服务热线：13713601981
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T3封装为单管IGBT模块，采用Trench‑FS沟槽场终止芯片，VCES=1200V，包含900A、1200A两款电流规格，适用于大功率工业变流场景。
GT900DSD120T3H 900A｜1200V，T3封装
GT1200DSD120T3H 1200A｜1200V，T3封装
| 集射极阻断电压 VCES | 1200V |
| 栅极‑发射极电压 VGES | ±20V |
| 芯片工艺 | Trench‑FS沟槽场终止IGBT |
| 最大结温 Tj Max | 175℃ |
| 工作结温范围 | -40℃ ~ +150℃ |
| 封装 | T3单管模块封装 |
T3为单管IGBT结构，采购前核对原理图与引脚定义，此模块无内置NTC测温电阻。
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高压储能逆变设备
工业大功率电源
重型传动功率变换装置
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