SILVERMICRO T6‑M 系列 PIM‑IGBT 功率模块 GT50PI120T6H‑M GT75PI120T6H‑M GT100PI120T6H‑M GT150PI120T6H‑T4M

SILVERMICRO T6‑M系列 1200V PIM IGBT功率模块

现货型号清单：

GT50PI120T6H‑M 50A｜标准T6‑PI封装
GT75PI120T6H‑M 75A｜标准T6‑PI封装
GT100PI120T6H‑M 100A｜标准T6‑PI封装
GT150PI120T6H‑T4M 150A｜T4改版引脚封装

产品概述

T6‑M系列为沟槽场终止(Trench‑FS)PIM集成IGBT功率模块，内部集成三相逆变、制动斩波、三相整流桥；‑M后缀内置NTC温度热敏电阻，可直接监测模块壳体温度，实现整机过热保护。产品经过RBSOA两倍电流测试，短路耐受时间＞10μs，低饱和压降、低开关损耗、低杂散电感，符合RoHS无铅标准。

核心通用规格

集射极阻断电压 VCES	1200V
栅极‑发射极电压 VGES	±20V
隔离耐压	2500V
短路耐受时间 tSC	＞10μs
最大结温 Tj Max	175℃
工作结温范围	-40℃ ~ +150℃
存储温度	-40℃ ~ +125℃
芯片工艺	Trench‑FS沟槽场终止IGBT
内置元件	三相整流桥+三相IGBT逆变+制动斩波+NTC测温电阻

各型号主要电气参数表（Tc=25℃）

型号	TC=100℃持续电流Ic	TC=25℃持续电流Ic	重复峰值电流Icm	模块封装	备注
GT50PI120T6H‑M	50A	100A	100A	T6‑PI	带NTC
GT75PI120T6H‑M	75A	150A	150A	T6‑PI	带NTC
GT100PI120T6H‑M	100A	200A	200A	T6‑PI	带NTC
GT150PI120T6H‑T4M	150A	300A	300A	T6‑PI‑T4	T4改版引脚，带NTC